FET-场效应晶体管引入

FET场效应晶体管简介

到目前为止，我们讨论了普通晶体管的电路应用，其中孔和电子都参与其中。这是这些有时称为双极晶体管的原因。这种晶体管具有两个主要缺点，即由于前进的偏置发射极结和相当大的噪声水平而产生的低输入阻抗。已经克服了这两种缺点，在很大程度上在场效应晶体管（FET）中，其是电场（或电压）控制的装置。FET是因为拥有管道和普通晶体管（BJT）的所有优点，都是在应用中取代真空管和BJT。

场效应晶体管（FET）是三个端子（即漏极，源极和栅极）半导体器件，其中电流导通仅通过一种类型的多个载波（在N沟道FET或孔中的电子中的电子）。通道FET）。它有时也称为单极晶体管。与双晶体管不同，FET几乎不需要输入（偏置信号）电流，并在BJT上给出一个最高的输入电阻 - 最重要的优势。BJT或FET器件可用于在放大器电路或其他类似的电子电路中运行，具有不同的偏差考虑。

有两类FET即：

1。结场效应晶体管（缩写JFET或简单的JFET）。请检查链接以获取完整说明。

2.绝缘栅极场效应晶体管（IGFET），更常见的是金属氧化物半导体场效应晶体管（缩写MOSFET或大多数）。