mosfet -金属氧化物半导体晶体管

mosfet -金属氧化物半导体场效应晶体管简介，

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种重要的半导体器件，广泛应用于许多电路中。由于它是由与通道绝缘的栅极终端构成的，所以有时也叫它绝缘栅场效应晶体管(IGFET)。像,JFET，场效应晶体管也是一个三端(源、栅和漏极)器件，其中的漏极电流也由栅偏压控制。的操作MOSFET与JFET相似。它可以用于任何电路覆盖的JFET，因此，所有的方程同样适用于MOSFET和JFET在放大器连接。然而，由于漏电流小，MOSFET的电容和输入阻抗要比JFET低得多。在场效应晶体管的情况下，正电压可以施加到栅极上，栅极电流仍然保持为零。

mosfet有两种类型

(我)Enhancement类型MOSFET或E-MOSFET

(2)D完全增强MOSFET或DE-MOSFET。

在耗尽模式构造中，物理构造了一个通道，漏极和源极之间的电流是由于漏极-源极两端施加的电压造成的。增强型MOSFET结构在构造过程中没有形成沟道。在这种情况下，电压被施加到栅极上，形成一个载流子通道，当电压被施加到漏源极上时，就会产生电流。