场效应管偏置

与BJT不同，FET不会发生热失控，正如我们在博客中已经讨论的那样。然而，最大值和最小值之间的巨大差异传输特性使我_D使用简单的固定栅极偏置电压，电平不可预测。为了获得静态漏电流的合理限制，I_D漏源极电压V_DS，源电阻和电位分压器偏置技术必须使用。除了少数例外，MOSFET偏置电路类似于那些用于JFETs下面讨论各种FET偏置电路：

固定偏差。

FET器件的直流偏置需要设置栅源电压V_GS给出所需的漏极电流I_D. 对于JFET，漏极电流受饱和电流I限制_DS. 由于FET具有如此高的输入阻抗，因此没有栅极电流流动，并且由分压器或固定电池电压设置的栅极直流电压不受FET影响或加载。

固定直流毕原样使用电池V获得_QG. 此电池确保栅极始终为负极关于电源和无电流流过电阻器R_{游戏打得好ydF4y2Ba}和门终端，即我_{游戏打得好ydF4y2Ba}=0。蓄电池提供电压V_GS偏置N沟道JFET，但不会从蓄电池V中产生电流_{游戏打得好}．电阻R_{游戏打得好ydF4y2Ba}包括以允许通过电容器C施加的任何交流信号在R上发展_{游戏打得好ydF4y2Ba}. 而任何交流信号都会通过R_{游戏打得好ydF4y2Ba}，R上的直流电压降_{游戏打得好ydF4y2Ba}等于I_{游戏打得好ydF4y2Ba}R_{游戏打得好ydF4y2Ba}即0伏。

栅源电压V_GS然后

v_GS=- - - - - - v_{游戏打得好ydF4y2Ba}- - - - - - v_s=-v_{游戏打得好}-0=-V_{游戏打得好}

漏极-源极电流我_D然后由方程确定的栅源电压固定。

然后，该电流导致漏极电阻器R两端的电压降_D并作为v_研发部=我_DR_{D和输出电压，V出来=VDD–我DRD}

自我偏见。

这是偏置JFET最常用的方法。N沟道JFET的自偏置电路如图所示。

由于没有门极电流通过反偏门极源，所以门极电流I_{游戏打得好ydF4y2Ba}=0，因此，v_{游戏打得好ydF4y2Ba}=我_{游戏打得好ydF4y2Ba}R_{游戏打得好ydF4y2Ba}= 0

具有漏电流I_DS处的电压为
v_s=我_DR_s

然后测量栅极源极电压

v_Gs=V_{游戏打得好ydF4y2Ba}- - - - - - V_s=0–I_DR_s=-我_DR_s

所以通过电阻R的电压降_s提供偏置电压V_{游戏打得好}偏置不需要外部电源，这就是为什么称之为自偏置。

操作点(就是零信号I_D和V_DS)能可根据以下方程式和方程式轻松确定：

v_DS=v_DD–我_D(R_D+R_s)

因此，JFET放大器的直流条件是完全指定的。JFET的自偏压可稳定其静态工作点，使其不受跨导等参数变化的影响。将给定的JFET替换为另一个具有双电导的JFET，则漏电流也将尝试加倍，但由于R上的压降增加_s因此，栅极源极电压，V_GS变得更负，因此漏极电流的增加减小。

分压器偏压。

图中所示的电路提供了一种稍加修改的直流偏置形式_{德国劳埃德船级社}和R_G2在漏极电源V上形成一个分压器_DD. 电压V_2.横穿R_G2提供必要的偏差。附加栅电阻R_{德国劳埃德船级社}从栅极电压到电源电压有利于直流偏置点的较大调整，并允许使用较大的R值_s．

门是反向偏置的，所以我_{游戏打得好ydF4y2Ba}=0和栅极电压

v_{游戏打得好ydF4y2Ba}= V_2.=(五)_DD/R_G1+R_G2)*R_G2

和

v_GS=v_{游戏打得好ydF4y2Ba}- - - - - - v_s=v_{游戏打得好ydF4y2Ba}–我_DR_s

_{电路的设计使我DRs大于VG，因此VG为负。这提供了正确的偏置电压。}

工作点可确定为：

我_D= (V_2.- - - - - - V_GS) / R_s

和

v_DS=V_DD–我_D（R）_D+ R_s)