什么是隧道二极管？
Leo Esaki博士代表发明者发明了一种隧道二极管，也称为“Esaki二极管”。它是一个高导电性的双端P-N结二极管，掺杂量是传统结二极管的1000倍左右。由于重掺杂，耗尽层宽度减小到1/10000 m的极小值。反向击穿电压也降低到非常小的值~0，导致二极管在任何反向电压下出现断路，并且二极管的伏安特性中产生负电阻部分。
隧道二极管中的隧道是什么？
通过减少的耗尽层，即使它们没有能量穿过势垒，也能以光速“穿透”结。因此，在相对较低的正向电压（<100mv）下会产生较大的正向电流。这种电荷载流子穿过结的传导机制称为“隧穿”。由于重掺杂，隧道二极管可在两个方向上传导，但通常仅用于正向传导。
隧道二极管的构造：
隧道二极管通常由锗、砷化镓或锑化镓制成。隧道二极管结构中不使用硅，因为砷化镓的Ip/Iv最大。（Ip=正向电流峰值，Iv=谷电流）。对于硅而言，该比率非常小，约为3。通常它们是由砷化镓合金化制造的。源材料为高掺杂半导体晶体，杂质浓度约为每立方米10^25。
注：作为一种低功率器件，隧道二极管很容易被热和静电损坏。
隧道二极管特性如下所示：
5.评论
为什么硅不用于隧道二极管的制造？
作答
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尊敬的先生：这是什么意思？
我需要解释隧道二极管的特性，即山谷形成的原因？
尊敬的先生，我要完整的电路图，包括输入和输出电压