UJT特点
发射极静态特性(显示发射极电压V之间关系的曲线E和发射极电流IE)UJT在给定的基间电压V下BB如图所示。从图中，注意到，对于峰值左侧的发射器电位，发射极限IE从来没有超过我Eo．当前我Eo与反向泄漏电流I非常接近有限公司传统的BJT。如图所示，这个区域称为截止区域。一旦导电建立在VE= VP发射极电位VE随着发射极电流I的增加开始减少E．这与电阻R的减小完全一致B增加电流IE．因此，该器件具有一个足够稳定的负电阻区域，可以在前面列出的应用领域中以很高的可靠性使用。最终，山谷点达到，任何进一步增加的发射器电流IE如图所示，将设备放置在饱和区域。UJT的其他三个重要参数是IP, VV和我V定义如下:
峰值点发射极电流。我p．它是在峰值点的发射器电流。它表示触发设备(UJT)所需的rnimrnum电流。它与基间电压V成反比BB．
谷点电压VV谷点电压是谷点处的发射器电压。谷电压随基间电压V的增加而增加BB．
谷点电流IV谷点电流是谷点处的发射极电流。它随着基间电压V的增加而增加BB．
UJT的特点。UJT的特点是:
- 一个稳定的触发电压(VP) -施加的基间电压V的固定分数BB．
- 非常低的触发电流值。
- 高脉冲电流能力。
- 负电阻特性。
- 低成本。
5评论
UJt的VI特性与哪个设备相似?
谢谢你。
为什么箭头是弯曲的UJT符号l?
我需要一些关于“由ujt所拥有的负面阻力”的信息
谢谢你提供这样一个信息丰富的网站。当我长大的时候，utt已经过时了，但我使用了很多次，但并没有真正理解它。现在，关于UJT的信息非常少…
那么，UJT还有其他有趣/有创意的用途吗?吉他放大器失真单元?