在本文中，我们了解到UJT（单结晶体管）详细。我们涵盖了很多关于UJT的 - 基本上是一个UJT，它们与其他晶体管模型的不同，如何构建UJT，操作和工作的UJT，如何构建UJT的应用程序和更多。让我们潜入Uni结晶体管的细节。
Unijunction晶体管（缩写为UJT），还称为双基二极管是2层，3端固态（硅）开关装置。该装置具有独特的特性，即触发时，其发射极电流通常会增加（由于负电阻特性），直到它受到发射器电源的限制。每单位的低成本，结合其独特的特性，因此有必要在各种应用中使用。少数包括振荡器，脉冲发生器，锯齿发生器，触发电路，相位控制，定时电路和电压 - 或电流调节的供应。该装置通常是正常操作条件下的低功耗吸收装置，并在持续努力中提供巨大的贡献来设计比较有效的系统！
建造一个UJT
UNIICenction晶体管的基本结构如图所示。它基本上由一个轻掺杂的n型硅棒组成，具有一小块重掺杂的p型材料，其一侧是生产单个p-n结。单个P-N结算用于术语UNICenction。硅棒在其端部，具有两个欧姆触点，指定为基础-1（b1）和碱-2（B2），如图所示，并且p型区域被称为发射器（e）。发射极结通常位于底座 - 2（b2）比基-1（B1）因此设备不对称，因为对称单元不适用于大多数应用的最佳电气特性。
UNIICenction晶体管的符号如图所示。发射极腿以一定角度绘制到表示n型材料板的垂直线，当设备正向偏置，有效或导电状态时，沿常规电流方向的箭头点。UJT的基本布置如图所示。
通过在p型基座上扩散N型发射极端子来形成互补的UJT。除电压和电流的极性外，互补UJT的特性与传统UJT的特性完全相同。
关于UJT的值得注意的注意事项如下：
- 该设备只有一个结，所以它被称为UNICenction设备。
- 的装置，因为一个P-N结的，非常类似于一个二极管，但它从一个普通的二极管不同，因为它具有三个端子。
- UJT的结构与N频道JFET的结构非常相似。主要区别在于，在JFET的情况下，p型（栅极）材料围绕n型（通道）材料，并且JFET的栅极表面远大于UJT的发射极结。
- 在一个UniCenction晶体管中，发射器在很大程度上掺杂N区时，发射器非常掺杂，因此当发射器打开时，基极端子之间的电阻通常为4到10千克欧姆。
- N型硅棒具有高电阻和发射极之间的电阻基-1是比发射极和基-2之间大。这是因为发射极比基-1更接近基-2。
- UJT与发射极结操作正向偏置而JFET是通常O.与栅极交叉点反向偏置。
- UJT没有能力放大，但能够控制具有小信号的大型交流电源。它表现出负电阻特性，因此它可以用作振荡器。
一个UJT的操作
想象一下，发射极电源电压变为零。然后，如上所述，内在的脱扣电压反向偏置发射极二极管。如果V.B.是发射极二极管的阻挡电压，然后总反向偏置电压为v一种+ V.B.=ƞVBB.+ V.B.。对于硅VB.= 0.7 V.
现在让发射极电源电压vE.慢慢增加。当V.E.变得等于ƞvBB.， 一世eo.将减少到零。在二极管的每侧上的相等电压电平，既不反向也不是向前电流将流动。当发射极电源电压进一步增加时，一旦超过总反向偏置电压（ƞV，二极管就会向前偏置BB.+ V.B.）。该发射极电压V的值E.被称为峰值点的电压和用V表示P.。当V.E.= V.P.，发射极电流我E.开始流过rB1.地上，这是b1。这是触发UJT所需的最小电流。这被称为峰值发射极电流并由I表示P.。IP是成反比interbase的电压，VBB.。现在，当发射极二极管开始导通时，将电荷载流子注入杆的RB区域。由于半导体材料的电阻取决于掺杂，因此由于额外的电荷载体（孔），区域Rb的电阻迅速降低。随着阻力的降低，RB的电压降也会降低，导致发射极二极管更加重大偏置。这反过来导致较大的正向电流，因此注入更多的电荷载流子，导致RB区域的电阻仍然进一步降低。因此，发射极电流越来越大，直到它受到发射器电源的限制。由于VA随着发射极电流的增加而降低，因此据说UJT具有负电阻特性。可以看出，基础-2（B2）仅用于在其上施加外部电压VBB。终端E和B1是有源终端。通过将合适的正脉冲施加到发射器，通常触发UJT。 It can be turned off by applying a negative trigger pulse.
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26.注释
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根据上述电路，
RB1是B1（基座1）和点A之间的电阻。
RB2是B2（基数为2）和点A之间的电阻
RBB = RB1 + RB2。
考虑，如果发射器是打开的，则总电阻RBB等于所使用的N型材料的电阻是版本高高达10千欧姆。
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UJT的应用？和操作未清除
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