共源共栅放大器是由跨导放大器和缓冲放大器组成的两级电路。“共源共栅”一词源于短语“级联到阴极”。与单级放大器相比,该电路具有许多优点,如更好的输入输出隔离、更好的增益、更高的带宽、更高的输入阻抗、更高的输出阻抗、更好的稳定性、更高的转换速率等。带宽增加的原因是米勒效应的减小。共源共栅放大器通常使用FET(场效应晶体管)或BJT(双极结晶体管)构建。一级通常以共源/共发射极模式接线,另一级以共基极/共发射极模式接线。

米勒效应。

米勒效应实际上是漏源杂散电容与电压增益的乘积。漏源杂散电容总是会降低带宽,当它乘以电压增益时,情况会进一步恶化。杂散电容的多重应用增加了有效输入电容,我们知道,对于放大器来说,输入电容的增加增加了频率的下限,这意味着带宽的减少。米勒效应可以通过在放大器的输出端添加电流缓冲级或在输入端之前添加电压缓冲级来减小。

FET共源共栅放大器。

场效应晶体管共源共栅放大器
场效应晶体管共源共栅放大器

上面显示了使用FET的典型共源共栅放大器的电路图。电路的输入级是FET共源放大器,输入电压(Vin)施加到其栅极。输出级是由输入级驱动的FET共栅放大器。Rd是输出级的漏极电阻。输出电压(Vout)取自Q2的漏极端子。由于Q2的栅极接地,FET Q2的源极电压和FET Q1的漏极电压几乎保持不变。这意味着上部FET Q2向下部FET Q1提供低输入电阻。这会降低较低FET Q1的增益,因此米勒效应也会降低,从而增加带宽。下部FET Q1增益的降低不会影响整体增益,因为上部FET Q2会对其进行补偿。上部FET Q2不受Miller效应的影响,因为漏极至源极杂散电容的充放电通过漏极电阻器和负载进行,如果仅对高频(远超过音频范围)产生影响,则频率响应也会受到影响。

在共源共栅配置中,输出与输入完全隔离。Q1在漏极和源极端子上的电压几乎恒定,而Q2在源极和栅极端子上的电压几乎恒定,实际上从输出到输入没有反馈。就电压而言,唯一重要的点是输入和输出端子,它们通过恒定电压的中心连接良好隔离。

实用共源共栅放大电路。

场效应晶体管共源共栅放大器
实用共源共栅放大电路

上面展示了一个基于FET的实用共源共栅放大器电路。电阻器R4和R5形成FET Q2的分压器偏置网络。R3是Q2的漏极电阻器,它限制漏极电流。R2是Q1的源电阻,C1是其旁路电容器。R1确保在零信号条件下,Q1的栅极电压为零。

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4.评论

  1. 维纳拉

    c1和c2的值是多少

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