P-N结二极管的制备技术

P-N结二极管制造技术概述：

在里面实际上，P-N结是通过添加严格控制数量的施主和受主杂质，由单晶结构形成的。这里的讨论仅限于熟悉基本技术和术语（而非制造方面的专业知识）。

第一个也是最重要的要求是获得极纯的锗或硅。杂质少于百分之一（10¹⁰)是当今大多数半导体器件制造所必需的。为了获得纯半导体材料，首先对其进行化学纯化。为了进一步减少杂质，并确保形成单晶结构，一种称为平坦区这种单晶结构是通过使用一小块半导体种子形成的(e、 例如，硅或锗）。种子本身是一种单晶，它是沿着立方晶格表面非常小心地切割而成的。支撑夹用于固定低纯度多晶棒。

棒、种子和支撑夹放在一个石英圆筒中。这个过程可以在真空中进行，也可以用惰性气体包围半导体。太棒了需要注意确保半导体在使用过程中不会进一步受到污染浮动区工艺。

感应线圈包围石英容器，如图所示。线圈由射频电压激励。在半导体中感应循环电流由于通过感应线圈的射频电流所产生的磁场由此产生的热量使暴露在其中的区域熔化。因此，熔化区域被加热形成。

棒的缓慢旋转使半导体原子与原子对齐在单晶晶种中。因此，当感应线圈向下移动时，熔融区域随之发生，并且单晶结构继续从晶种中生长。半导体棒的净化与单晶的形成同时进行半导体棒中的杂质倾向于比半导体“更液态”。因此，当感应线圈向下移动时，杂质倾向于跟随熔融金属区域一旦感应线圈穿过半导体棒的长度，则杂质被收集在其下端。然后可切断半导体棒的下端，并重复该过程，直到达到所需的杂质水平。

一旦生产出纯单晶半导体，在不干扰有序单晶结构的情况下，向半导体中添加适量的施主和受主杂质，从而形成P-N结。

半导体二极管通常为以下类型之一：

1.生长结二极管

2.合金型或熔结二极管

3.扩散结二极管

4.外延生长或平面扩散二极管

5.点接触二极管

本文有一个解释不同二极管制造类型的续文：链接如下：

半导体二极管制造类型