V-FET或功率MOSFETGydF4y2Ba

功率MOSFET通常以V配置构造，如图所示。这就是为什么，设备有时被称为V-MOSFET或V-FET。V形切割几乎从设备表面渗透到nGydF4y2Ba^+GydF4y2Ba通过N衬底GydF4y2Ba^+GydF4y2Ba，p和n〜图层，如图所示。然后GydF4y2Ba^+GydF4y2Ba层是严重掺杂的低电阻材料，而N〜层是轻掺杂的高电阻区域。二氧化硅介电层覆盖水平表面和V切割表面。绝缘栅是沉积在Si0上的金属膜GydF4y2Ba_2GydF4y2Ba在v-cut。源终端与上部n接触GydF4y2Ba^+GydF4y2Ba和p型通过si0GydF4y2Ba_2GydF4y2Ba层。然后GydF4y2Ba^+GydF4y2Ba衬底是该器件的漏极端子。GydF4y2Ba

V-MOSFET是一种e模式FET，在漏极和源极之间没有通道，直到栅极相对于源极为正。当使栅极相对于源极为正时，n型通道在栅极附近形成GydF4y2BaE-MOSFET.GydF4y2Ba。在这种情况下，n型通道为电荷载波提供了垂直路径，以在n之间流动GydF4y2Ba^+GydF4y2Ba基质GydF4y2Ba（IE。GydF4y2Ba排水)和NGydF4y2Ba^+GydF4y2Ba源终止。当V.GydF4y2Ba_GS.GydF4y2Ba为零或负，不存在通道，漏极电流为零。GydF4y2Ba

增强模式N沟道功率MOSFET的漏极和传递特性类似于E-MO​​SFET的漏极和传递特性，如图4和图5所示。随着栅极电压的增加，沟道电阻降低，因此漏极电流iGydF4y2Ba_D.GydF4y2Ba增加。因此排水电流iGydF4y2Ba_D.GydF4y2Ba可以通过栅极电压控制来控制，使得给定水平的vGydF4y2Ba_GS.GydF4y2Ba， 一世GydF4y2Ba_D.GydF4y2Ba在广泛的v范围内仍然相当不变GydF4y2Ba_DS.GydF4y2Ba水平。GydF4y2Ba

漏极端子位于V-MOSFET的底部(而不是顶部表面)，对于任何给定尺寸的设备都可以有相当大的面积。这允许比在a中更大的功率损耗GydF4y2BaMosfet.GydF4y2Ba在表面上具有漏极和源极。GydF4y2Ba

在功率或V-MOSFET中，通道长度由扩散过程确定，而在其他MOSFET中，通道长度取决于在扩散过程中采用的拍摄掩模的尺寸。通过控制掺杂密度和扩散时间，可以利用频道长度的掩模控制来产生比可以产生的更短的通道。这些较短的频道允许更多的电流密度，该密度再次有助于更大的功耗。较短的通道长度也允许更大的跨导GydF4y2BaGGydF4y2Ba_mGydF4y2Ba在V-FET中获得，并且非常显着提高频率响应和设备切换时间。GydF4y2Ba

电力MOSFET几何形状的另一个非常重要的因素是存在轻微掺杂的n〜外延层，靠近nGydF4y2Ba^+GydF4y2Ba基质。当V.GydF4y2Ba_GS.GydF4y2Ba为零或负，漏极相对于源极是正的，P层和N〜层之间的结是反向偏置的。结的耗尽区深入到N〜层中，因此GydF4y2Ba击穿现象GydF4y2Ba避免从排水管到源。所以相对较高的vGydF4y2Ba_DS.GydF4y2Ba可以应用没有任何设备故障的危险。GydF4y2Ba

p沟道v - mosfet也可提供。他们的特征与…相似GydF4y2BaN沟道MOSFETGydF4y2Ba，除了当前方向和电压极性颠倒。GydF4y2Ba