在众多的半导体控制设备中，MCT被认为是最先进的。该器件基本上是一个晶闸管与两个MOSFET的门结构。一个场效应晶体管用于打开MCT，另一个用于将其关闭。该器件主要用于开关应用，具有高频，高功率和低导电等特征，等等。MCT组合了常规四层的特征晶闸管具有再生作用和MOS栅结构。在该装置中，所有的栅极信号都是相对于阳极施加的，以阳极作为参考。在通常使用的可控硅，阴极保持为栅极信号的参考终端。
MCT细胞的基本结构如下图所示。
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- MOS控制晶闸管（MCT）结构
在实践中，MCT将包括数千个并行连接的基本细胞，就像PMOSFET．这有助于获得高电流承载能力的设备。
MCT的等效电路如下图所示。
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- MOS可控硅(MCT)等效电路
它包括一个穿上FET，一个脱机和两个晶体管。MCT的MOS结构在等效电路中表示。它由一个开封，p沟道MOSFET和脱机组成。N-P-N和P-N-P晶体管均连接在一起以表示MCT的N-P-N-P结构。通过向栅极终端绘制箭头来表示N沟道MOSFET。通过远离栅极终端的箭头来指示P沟道MOSFET。等效电路中的两个晶体管表明MCT中存在再生反馈，就像普通晶闸管一样。MCT的电路符号如下所示。
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- mos控制晶闸管(MCT)电路符号
打开过程
该器件是通过相对于阳极的栅极处的负电压脉冲打开的。在开启MCT时，通过栅极与阳极之间的电压脉冲使栅极相对于阳极为负。因此，MCT最初必须是正向偏置的，然后只施加一个负电压。随着负电压脉冲的应用，ON- fet被打开，而OFF- fet已经关闭。当ON- fet开启时，电流开始从阳极A流过ON- fet，然后作为n-p-n晶体管的基极电流和发射极，然后到达阴极k。这就开启了n-p-n晶体管。这使集电极电流在npn晶体管中流动。当OFF FET关闭时，npn晶体管的集电极电流作为pn -p晶体管的基极电流。随后，p-n-p晶体管也被打开。如果两个晶体管都是ON，则连接方案的再生作用发生，MCT开启。
关闭过程
通过在栅极处施加正电压脉冲来关闭设备。正电压脉冲导致关闭FET打开和挡板关闭。关闭FET后，P-N-P晶体管的发射极端的端子短FET循环。因此，现在阳极电流开始流过FEE，因此P-N-P晶体管的基极电流开始减小。该装置具有反向电压阻塞能力的缺点。
其特定的优点
- 低前进传导下降
- 快速开启，然后关闭时间
- 低开关损耗
- 高栅极输入阻抗
6注释
感谢这些有用的文章
部件编号MCT：
MCTG35P60F1
MCTV35P60F1D
MCTV75P60E1.
描述：MOS控制晶闸管，85 A，600 V，P-CH MOS控制晶闸管，至-247 5针
MCT3D65P100F2
描述:MOS可控晶闸管，85a, 1000 V, P-CH MOS可控晶闸管
MCT3A65P100F2
描述:MOS可控晶闸管，85 A, 1000 V, P-CH MOS可控晶闸管，TO-247
非常感谢
你好,
请你告诉MCT的制造商。
请帮助我。
我找到了哈里斯半导体，但所有部件都过时了。
谢谢提前
温暖的问候,
Makarand Krishna Patil。
+ 91-9535145877
你从哪儿弄来的?我似乎找不到任何制造商仍在生产它们。
感谢您告知我们最新的MCT。我想知道我设计的多抽头绕组AVR是否可以用MCT作为“交流开关”。更换了机械继电器。您是否还可以提供用于驱动该MCT的cmos 4000系列ic的样品电路。我还需要用于400V 10A的MCT的确切商业部件号。我找不到RS。
再次感谢
先生，请给我200瓦的放大器电路图